インディクト
名詞

MRAM

エムラム

えうあう
磁気抵抗メモリ は、磁気トンネル接合 を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態(平行/反平行)によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 (出典: MRAM - Wikipedia)
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